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Infineon Technologies IPP60R099CPXKSA1
| Artikelnummer: | IPP60R099CPXKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $9.40 |
| 10+ | $8.493 |
| 100+ | $7.0317 |
| 500+ | $6.1231 |
| 1000+ | $5.3331 |
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-
Infineon Technologies IPP60R099CPXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPP60R099CPXKSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 Serie CoolMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 18A, 10V Verlustleistung (max) 255W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) Grundproduktnummer IPP60R099 IPP60R099CPXKSA1 Einzelheiten PDF [English] IPP60R099CPXKSA1 PDF - EN.pdf -
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